ALIGNMENT对准定义为芯片上的十字键和光罩上的对准键合对，在半导体制造中通过光刻工艺实现掩膜版图形与晶圆上已有图形的精确对齐，是实现多层电路图案高精度套刻的核心，其精度直接影响器件尺寸和制造良率 。对准精度要求通常为最细线宽尺寸的1/7到1/10 。光刻机的对准系统主要包括掩膜预对准、晶圆预对准、工作台间对准及掩膜与晶圆对准四个步骤。对准方法从早期的人眼对准、几何成像对准发展到基于相位光栅测量的先进技术，如ASML的TTL、ATHENA、SMASH和ORION对准技术。随着工艺节点进入纳米级，对准技术持续演进以追求更高精度，例如ORION技术为7纳米节点实现了1.4纳米套刻精度 。
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